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NTEK北測檢測集團

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LED芯片原理與光電器件車規(guī)級AEC-Q102認(rèn)證

2025-01-08
2630 作者: NTEK北測檢測集團
本文關(guān)鍵詞:
LED發(fā)展簡史
早在半個世紀(jì)前,人們就已認(rèn)識到半導(dǎo)體材料能發(fā)出光。1962年,通用電氣公司的尼克·何倫亞克(Nick Holonyak Jr.)成功研發(fā)了首個實際應(yīng)用中的可見光發(fā)光二極管。LED,即發(fā)光二極管,是一種將電能轉(zhuǎn)換為光能的半導(dǎo)體器件。其基本構(gòu)造包括一塊電致發(fā)光的半導(dǎo)體材料,封裝在帶有引線的支架中,并用環(huán)氧樹脂封閉,形成固態(tài)封裝,從而提供良好的抗震性能。



最初,LED主要用作儀器指示燈。隨著技術(shù)進步,LED在交通信號燈和大面積顯示屏等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,帶來了顯著的經(jīng)濟和社會效益。例如,12英寸的紅色交通信號燈,傳統(tǒng)上使用140瓦的白熾燈,經(jīng)過紅色濾光片后,光效損失90%。而新型設(shè)計中,使用18個紅色LED作為光源,總功耗僅為14瓦,卻能達到相同的光效。汽車信號燈也是LED應(yīng)用的重要領(lǐng)域。

LED芯片原理
LED是一種固態(tài)半導(dǎo)體器件,能夠?qū)㈦娔苤苯愚D(zhuǎn)換為光能。其核心是一個半導(dǎo)體晶片,一端連接負(fù)極,另一端連接正極,整個晶片被環(huán)氧樹脂封裝。半導(dǎo)體晶片由P型和N型半導(dǎo)體組成,P型半導(dǎo)體中空穴占主導(dǎo)地位,而N型半導(dǎo)體中電子占主導(dǎo)地位。當(dāng)電流通過時,電子被推向P區(qū),與空穴復(fù)合并發(fā)射光子,從而產(chǎn)生光。光的顏色取決于P-N結(jié)材料的波長。

1.發(fā)光原理



2.芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖




芯片的分類
1. MB芯片:
定義:金屬粘著芯片,屬于UEC專利產(chǎn)品。
特點:使用高散熱系數(shù)的硅作為襯底,散熱效果好。通過金屬層接合磊晶層和襯底,反射光子,減少吸收。導(dǎo)電的硅襯底取代GaAs襯底,熱傳導(dǎo)能力更強。底部金屬反射層有助于提升光度和散熱。尺寸可加大,適用于高功率領(lǐng)域。

2. GB芯片:
定義:粘著結(jié)合芯片,屬于UEC專利產(chǎn)品。
特點:透明藍寶石襯底,出光功率高。芯片四面發(fā)光,圖案效果出色。亮度高,但耐高電流稍差。

3. TS芯片:
定義:透明結(jié)構(gòu)芯片,屬于HP專利產(chǎn)品。
特點:工藝復(fù)雜,可靠性高。透明GaP襯底,亮度高。

4. AS芯片:
定義:吸收結(jié)構(gòu)芯片,臺灣LED光電業(yè)界開發(fā)成熟。
特點:四元芯片,亮度高。可靠性優(yōu)良,應(yīng)用廣泛。

材料磊晶種類
1. LPE:液相磊晶法,用于GaP/GaP。
2. VPE:氣相磊晶法,用于GaAsP/GaAs。
3. MOVPE:有機金屬氣相磊晶法,用于AlGaInP、GaN。
4. SH:單異型結(jié)構(gòu)GaAlAs/GaAs。
5. DH:雙異型結(jié)構(gòu)GaAlAs/GaAs。
6. DDH:雙異型結(jié)構(gòu)GaAlAs/GaAlAs。

組成及發(fā)光

1. LED晶片的組成:主要有砷(AS)、鋁(AL)、鎵(Ga)、銦(IN)、磷(P)、氮(N)、鍶(Si)等元素組成。


2. LED晶片的分類:
按發(fā)光亮度分:一般亮度(如R、H、G、Y、E等)、高亮度(如VG、VY、SR等)、超高亮度(如UG、UY、UR、UYS、URF、UE等)、不可見光(如紅外線R、SIR、VIR、HIR)、紅外線接收管(如PT)、光電管(如PD)。
按組成元素分:二元晶片(如磷、鎵,如H、G等)、三元晶片(如磷、鎵、砷,如SR、HR、UR等)、四元晶片(如磷、鋁、鎵、銦,如SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG)。

汽車LED必須通過的車規(guī)級AEC-Q102測試
由福特、克萊斯勒、通用組成的汽車電子(AEC)頒布了光電器件的可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q102,覆蓋了LED、激光組件、光電二極管、光電晶體管等分立器件,共分28個大項,對光電器件的可靠性展開了嚴(yán)格的測試要求,為主機廠提供了可靠性高、使用壽命長的光電器件。LED汽車照明中使用的LED發(fā)光器件要求達到車規(guī)級,要求光效高、耐溫好,同時對LED芯片的穩(wěn)定性和一致性要求極高。

通過AEC-Q102認(rèn)證對企業(yè)是一個漫長的過程,要求一款產(chǎn)品從設(shè)計研發(fā)之初就需要對標(biāo)這個測量標(biāo)準(zhǔn),反復(fù)進行試驗,及時發(fā)現(xiàn)并改進產(chǎn)品缺陷,才能使得量產(chǎn)成品能夠順利通過AEC-Q102的認(rèn)證。

AEC-Q102測試認(rèn)證適用產(chǎn)品
LED、激光組件、激光元件、光電二極管、光電晶體管、發(fā)光二極管、光導(dǎo)管、光電池、光電三極管、熱敏電陽、溫差發(fā)電器、溫差電致冷器。光敏電阻、紅外光源、光電耦合器、發(fā)光數(shù)字管、使用光電功能和其他組件(例如帶集成電路的LED、帶光電二極管的激光組件.光耦)的多芯片模塊。

LED需要通過的AEC-Q102測試項目
1.靜電防護試驗(ESD):LED組件在靜電防護能力上較一般IC類來得低,目前組件廠除非增加Zener Diode,否則多數(shù)無法保證ESD等級,然多以HBM>2KV與MM>1KV為挑戰(zhàn)目標(biāo)。
2.濕度敏感性等級區(qū)分試驗(MSL):LED車用規(guī)范已要求需進行此測試,然對于表面黏著型(SMD)組件來說,此試驗有助于了解產(chǎn)品耐濕等級,方便作為產(chǎn)線管理之用。
3.熱阻(th)與Tj估算:LED產(chǎn)品對熱的敏感性很高,而且隨著環(huán)境的增加,衰減速度也會加快,因此必須采取有效的散熱措施。通過熱阻量測,可以幫助客戶找到合適的散熱方式,或選擇合適的材料,以延長壽命。
4.產(chǎn)品點亮壽命試驗:透過各種不同之電流、溫度、濕度等的組合模式進行,包括美國能源之星DoE EnergyStar LM-80之驗證服務(wù)。
5.壽命預(yù)估:典型的點亮試驗,藉由計算產(chǎn)品之活化能(Activation Energy),以獲得更為正確的壽命預(yù)估值。
6.脈沖試驗:一種快速而嚴(yán)格的實驗方式,最真實地模擬實際使用情況,可配合高溫或低溫環(huán)境貯存,也可用于溫度循環(huán)試驗,是最嚴(yán)格的加速模擬。
7.環(huán)境應(yīng)力試驗:典型的應(yīng)力試驗為溫度循環(huán)試驗與溫濕度循環(huán)試驗,前者主要是利用材料的熱膨脹不匹配特性以使組件構(gòu)裝后的結(jié)構(gòu)風(fēng)險得以顯現(xiàn),后者則是透過呼吸效應(yīng)以顯現(xiàn)產(chǎn)品的質(zhì)量問題。
8.機械應(yīng)力試驗:組裝后的推拉力、震動、沖擊等模式,應(yīng)根據(jù)使用目的和環(huán)境條件進行規(guī)劃,以突出產(chǎn)品瑕疵。
9.腐蝕性氣體試驗:腐蝕性氣體的來源有兩種:鹽霧和酸性氣體。由于受到空氣污染的影響,空氣中的酸性氣體與水分結(jié)合后產(chǎn)生的液體,對LED材料來說是極其嚴(yán)苛的,不僅會導(dǎo)致內(nèi)部光反射急劇下降,還可能導(dǎo)致外部老化,影響顏色等問題。
10.防水防塵試驗:終端產(chǎn)品在防水、防塵等方面要求極高,特別是在戶外使用時,必須進行更嚴(yán)格的檢測,以確保產(chǎn)品結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。
11.其它試驗:其它常用試驗尚包括了產(chǎn)品早夭篩選技術(shù)、焊錫性(Solderability)、壓力鍋(PCT)、耐熱試驗(Heat Resistance)等。
12.光學(xué)分析:提供可控溫之積分球系統(tǒng)(50cm與100cm)與MCD量測,可量測出LED產(chǎn)品之色溫、光通量、光強度、色坐標(biāo)、演色性、波長等,協(xié)助解決客戶測試過程中的量測需求,以做為各種驗證判定結(jié)果的依據(jù),提高實驗效率與正確率。

北測測試能力及AEC-Q102技術(shù)要求

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